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因此，世界上研究蓝光LED的科学家中，选择ZnSe的超过了一万人，而选择GaN的不到10人。
为了解决GaN的合成问题，剩余的这十名科学家，分别开始了独自的尝试。
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赤崎教授，选择了晶体结构和GaN接近，但是晶格常数失配的蓝宝石作为衬底材料，进行GaN的异质外延(生长)。
由于晶格失配，GaN外延层和蓝宝石衬底之间存在失配应力，应力的释放会导致GaN内部产生大量缺陷。这样的材料无法应用于器件。
但这个问题，在1985年，被赤崎教授的弟子，天野浩解决，这就是著名的两步法。
步骤是，在蓝宝石衬底上先生长一层AlN缓冲层，再将温度升高生长GaN。
由于缓冲层释放了
GaN
