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度以上。
在高温下，衬底表面的气体会自发向上扩散，造成外延表面的氮分压不够，GaN容易分解。
中村发明了一种双束流反应室结构，即一路为水平气流携带化学反应的前驱物进入反应室，另外一路为垂直的气流从反应室自上而下进入。
说穿了，就是两股气流，一个是侧吹，一个是从上往下吹。这股自上而下的气流，起到了压制GaN分解的作用。
这个工艺方法的出现，完全是中村拍脑袋的结果，没有任何解释。
中村没有走任何弯路，一步到位，直接就是正确的方式。
这种运气和巧合，令全世界的科研工作者，都很无语！
因为，再没有第二个开发人员，采用这种方式！
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从已经披露出来的信息来看，成永兴甚至高度怀疑，这个中村其实也是个穿越者！
