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在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在sio2绝缘层中，与四周无直接电气联接。
这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使mos管导通，即表示存入0。
若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，mos管不导通，即存入1。
eeprom基本存储单元电路的工作原理与eprom相似，它是在eprom基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。
可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压vg。
若vg为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。
若使vg为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。
闪存的基本单元电路，与eeprom类似，也是由双层浮空栅mos管组成。
但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。
写入方法与eeprom相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。
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